介绍了MOS管(NMOS和PMOS)的导通原理，包括开启电压、预夹断电压和漏源破坏电压，以及在电路中的应用，如使用三极管驱动实现3.3V到24V的转换

　　一、MOS管导通原理。

　　MOS管的两个重要参数

　　VGS(th)：开启电压

　　VGS(off)：预夹断电压

　　VDS(max)漏源破坏电压

　　1、MOS管：

　　当0=

　　当VGS>VGS(th)，VDS>0，NMOS管导通。

　　VGD=VGS-VDS;当VGS保持不变，随着VDS的增大，VGD逐渐减小，导致靠近漏极D一侧的耗尽层变宽，导电沟道变窄，但漏极电流Id随着VDS的增大而线性增大。

　　当VGD=VGS(off)，MOS管进入饱和区。此后再增大VDS，电流ID也不会发生变化。

　　当VDS>VDS(max)时，MOS管被击穿损坏。

　　2、PMOS：

　　PMOS管特性与NMOS管类型，但相反。

　　当0>VGS>VGS(th)，VDS<0，PMOS管截止。

　　当VGS

　　当VDS

　　二、电路

　　三极管驱动PMOS实现3.3V转24V电路

　　Q1导通，Vgs=12v-24v=-12v

　　Q1截止，Vgs=0v>Vt=-2.5v ,Q4截止，PWM_OUT1=0V;

　　三极管驱动NMOS实现3.3V转24V电路

　　Q2截止，VGS=0

　　Q2导通，VGS=5V>Vt=2.5V,Q3导通，PWM_OUT2=24V;