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　　一开始没有细想此电路时，乍一看无非就是一个电感上加一路绕组当变压器用，把电压耦合出来给到Vcc，当结合电路仔细的分析发现应该最初设计者还是花了一些心思的，接下来我们一起来做一个简短的定性分析。

　　Step1： 分析前：需要注意的地方

　　大家在做基本工作状态分析的时候需要注意，输入电压是馒头波并且波动范围非常大，馒头波周期为10ms，一个馒头波周期内有几百个高频周期　　

　　在输入馒头波电压处于较“低”位置的时：在MOS管导通，电感储能阶段Vcc绕组“左负右正”压差较“低”，电感释放能量阶段Vcc绕组左正右负压差较“高”

　　在输入馒头波电压处于较“高”位置的时：在MOS管导通，电感储能阶段Vcc绕组“左负右正”压差较“高”，电感释放能量阶段Vcc绕组左正右负压差较“低”

　　所以，在馒头波电压低位时，Vcc绕组压差更高的是正压，但是在馒头波电压高位时，Vcc绕组压差更高的是负压，那么在馒头波电压高位时这个负压怎么给芯片Vcc电容补充能量呢?

　　Step2： 芯片的启动

　　当输入通电时，输入电压通过电阻R4和R5给C29充电，当C29被充电到12V时芯片开始启动工作。

　　芯片启动之后，由于芯片内部需要额外消耗5mA左右的电流，启动电阻提供的电流不足，所以电容C29的电压缓慢下跌，焦急等待Vcc绕组给它补充能量。

　　Step3： 芯片正常工作之后如何给Vcc电容补充能量?

　　由于输入电压是馒头波，电压是有高有低的，所以下面根据不同的情况做定性分析

　　①当输入电压处于馒头波电压低位时　　

　　由于输入电压很低，PFC电感储能阶段MOS管VT1开启，主绕组左正右负压差较低，根据同名端标识可知，Vcc绕组左负右正压差很低，绕组右端为0电位，左端位负电位，绕组通过稳压管D2(1N5248为18V稳压管)→C5→R14回到绕组左端，此时C5被充电左正右负，但是由于绕组源头电压就不高，C5左正右负的压差也很小。

　　PFC电感释放能量阶段MOS管VT1关断，由于输入电压处于低位而输出电压有400V，所以此时主绕组左负右正压差很高，根据同名端标识可知，Vcc绕组左正右负压差较高，绕组右端为0电位，左端位正电位，绕组较高的电压叠加了C5之前的左正右负的压差一起给Vcc电容补充能量。

　　(注意：下面括号中的低压差和高压差描述的实际是相对的高与低)

　　结论

　　MOS管导通期间，Vcc绕组给C5充电(左正右负低压差)，此时芯片工作需要的电能由C29原本存储的能量提供

　　MOS管关断期间，Vcc绕组(高压差)+C5(低压差)，一起给Vcc电容C29补充能量，Vcc+C5总电压适中。

　　②当输入电压处于馒头波电压中位时　　

　　由于输入电压相对高了，所以C5和Vcc绕组压差的变化情况如下

　　结论(分析过程跟输入电压低位类似，可自行分析)：

　　MOS管导通期间，Vcc绕组给C5充电(左正右负中压差)，此时芯片工作需要的电能由C29原本存储的能量提供

　　MOS管关断期间，Vcc绕组(中压差)+C5(中压差)，一起给Vcc电容C29补充能量，Vcc+C5总电压适中。

　　③当输入电压处于馒头波高压高位时　　

　　由于输入电压相对很高，所以C5和Vcc绕组压差的变化情况如下

　　结论(分析过程跟输入电压低位类似，可自行分析)：

　　MOS管导通期间，Vcc绕组给C5充电(高压差)，此时芯片工作需要的电能由C29原本存储的能量提供

　　MOS管关断期间，Vcc绕组(低压差)+C5(高压差)，一起给Vcc电容C29补充能量，Vcc+C5总电压适中。

　　总结：

　　此电路巧妙之处在于，无论是输入电压是低位，还是中位，还是高位，总之Vcc绕组压差+C5的压差之和总是比较适中的给Vcc电容来补充能量，当然了还没时间做细致的定量分析，如果存在不妥之处欢迎大家留言，还请大家指正，感谢!!!